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首页 全部分类 GA50JT12-247 vs STW12N120K5

GA50JT12-247备选型号: STW12N120K5

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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    GA50JT12-247
    GeneSiC Semiconductor
    GENESIC SEMICONDUCTOR GA50JT12-247SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 50A, TO-247AB
    18 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    100A Tc
    175°C TJ
    Tube
    2016
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    25m Ω @ 50A
    7209pF @ 800V
    1200V
    N-CHANNEL
    50A
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
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  • STMicroelectronics
    STW12N120K5
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    17 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    690m Ω @ 6A, 10V
    1370pF @ 100V
    1200V
    -
    12A
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    SILICON
    MDmesh™ K5
    3
    SINGLE
    STW12N
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    250W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5V @ 100μA
    44.2nC @ 10V
    ±30V
    30V
    0.69Ohm
    48A
    无
    无铅
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