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首页 全部分类 GB02SLT12-252 vs GB01SLT12-252

GB02SLT12-252备选型号: GB01SLT12-252

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  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 自然的热阻
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 恢复时间
  • GeneSiC Semiconductor
    GB02SLT12-252
    GeneSiC Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO252
    PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
    49 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    1
    Cut Tape (CT)
    2015
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    175°C
    -55°C
    8541.10.00.80
    127pF
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    50μA @ 1200V
    1.8V @ 2A
    2A
    -55°C~175°C
    2A
    1200V
    5A DC
    1.2kV
    5A
    0ns
    200nA
    1.2kV
    131pF @ 1V 1MHz
    200A
    175°C
    2.3 °C/W
    2.385mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • GeneSiC Semiconductor
    GB01SLT12-252
    GeneSiC Semiconductor
    Sic Schottky Diode, Single, 1A, 1.2Kv, To-252
    PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
    35 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    1
    Cut Tape (CT)
    2015
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    175°C
    -55°C
    -
    -
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    2μA @ 1200V
    1.8V @ 1A
    6A
    -55°C~175°C
    -
    1200V
    -
    1.2kV
    1A
    0ns
    1μA
    1.2kV
    69pF @ 1V 1MHz
    65A
    175°C
    -
    2.507mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    2
    PD-CASE
    42W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    CATHODE
    4μA
    10A
    17 ns
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