GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252

工厂交货时间

35 Weeks

生命周期状态

PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Number of Elements

1

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

PD-CASE

最大功率耗散

42W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

2μA @ 1200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8V @ 1A

箱体转运

CATHODE

正向电流

6A

最大反向漏电电流

4μA

工作温度 - 结点

-55°C~175°C

最大浪涌电流

10A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200V

最大反向电压（DC）

1.2kV

平均整流电流

1A

反向恢复时间

0ns

峰值反向电流

1μA

最大重复反向电压(Vrrm)

1.2kV

电容@Vr, F

69pF @ 1V 1MHz

最大正向浪涌电流（Ifsm）

65A

恢复时间

17 ns

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

2.507mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准