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首页 全部分类 GBJ1010-F vs 1N5407-T

GBJ1010-F备选型号: 1N5407-T

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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 输出电流
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 速度
  • 工作温度 - 结点
  • 最大反向电压（DC）
  • 电容@Vr, F
  • Diodes Incorporated
    GBJ1010-F
    Diodes Incorporated
    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    4-SIP, GBJ
    4
    SILICON
    1
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    通孔
    Matte Tin (Sn)
    UL 认证
    55pF
    1kV
    10A
    GBJ1010
    4
    Single
    单相
    10μA @ 1000V
    10A
    1.05V @ 5A
    ISOLATED
    10A
    170A
    1.05V
    10A
    1
    10μA
    1kV
    170A
    700V
    24.5mm
    30.3mm
    4.8mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    1N5407-T
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    2
    SILICON
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Matte Tin (Sn)
    -
    25pF
    800V
    3A
    1N5407
    2
    Single
    Standard
    10μA @ 800V
    3A
    1V @ 3A
    ISOLATED
    3A
    200A
    1V
    3A
    1
    10μA
    800V
    200A
    800V
    5.3mm
    9.5mm
    5.3mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.09999g
    EAR99
    150°C
    -65°C
    GENERAL PURPOSE
    8541.10.00.80
    WIRE
    260
    40
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    -65°C~150°C
    800V
    25pF @ 4V 1MHz
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