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GBU6M备选型号: GBU4D

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 元素配置
  • 电流
  • 二极管类型
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  • 功率耗散
  • 输出电流
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  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 平均整流电流（Io）
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • ON Semiconductor
    GBU6M
    ON Semiconductor
    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    4-SIP, GBU
    4
    5.399989g
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    UL 认证
    400pF
    1kV
    12W
    WIRE
    6A
    GBU6M
    100V
    Single
    6A
    单相
    5μA @ 800V
    12W
    6A
    1V @ 6A
    ISOLATED
    6A
    5μA
    175A
    1V
    1
    5μA
    1kV
    175A
    18.8mm
    22.3mm
    3.56mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    GBU4D
    ON Semiconductor
    Diode Rectifier Bridge Single 200V 4A 4-Pin Case GBU Rail
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    4-SIP, GBU
    4
    5.4g
    -
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    200pF
    200V
    -
    -
    4A
    GBU4D
    -
    Single
    -
    单相
    5μA @ 200V
    8W
    4A
    1V @ 4A
    -
    4A
    5μA
    150A
    1V
    -
    5μA
    200V
    150A
    18.8mm
    22.3mm
    3.56mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    GBU
    150°C
    -55°C
    4A
    150A
    200V
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