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首页 全部分类 GBU806 vs DF06M

GBU806备选型号: DF06M

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  • 额定电流
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  • 元素配置
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  • 输出电流
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  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 供应商器件包装
  • 容差
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 箱码（公制）
  • 箱码（英制）
  • 电压
  • 电流
  • 平均整流电流（Io）
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    GBU806
    Diodes Incorporated
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
    9 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    4-SIP, GBU
    4
    3.404012g
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    通孔
    UL 认证
    130pF
    600V
    260
    8A
    40
    GBU806
    4
    Single
    单相
    5μA @ 400V
    8A
    1V @ 4A
    ISOLATED
    8A
    200A
    1V
    8A
    1
    5μA
    600V
    200A
    200A
    420V
    18.8mm
    22.3mm
    3.56mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DF06M
    ON Semiconductor
    BRIDGE RECT 1P 600V 1.5A 4DIP
    13 Weeks
    Tin
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    4-EDIP (0.300, 7.62mm)
    4
    639.990485mg
    -
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    82pF
    600V
    -
    1.5A
    -
    DF06
    -
    Single
    单相
    5μA @ 600V
    1.5A
    1.1V @ 1A
    -
    1.5A
    50A
    1.1V
    1.5A
    -
    5μA
    600V
    50A
    50A
    420V
    3.3mm
    8.51mm
    6.48mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4-DIP
    1%
    150°C
    -55°C
    3.1W
    1608
    0603
    1kV
    1A
    1.5A
    600V
    889μm
    无SVHC
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