您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 GRM21A5C2D101JW01D vs CL21C101JDCNNND

GRM21A5C2D101JW01D备选型号: CL21C101JDCNNND

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 端子形状
  • 材料
  • 介电材料
  • Voltage - Rated (DC)
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 尺寸/尺寸
  • 容差
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 温度系数
  • 端子表面处理
  • 应用
  • 电容量
  • 深度
  • 温度特性代码
  • 多层
  • 高度
  • 厚度（最大）
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • Operating Temperature (Max)
  • Operating Temperature (Min)
  • HTS代码
  • 电容式
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Murata Electronics
    GRM21A5C2D101JW01D
    Murata Electronics
    Cap Ceramic 100pF 200V C0G 5% SMD 0805 125C Paper T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    0805 (2012 Metric)
    WRAPAROUND
    Ceramic
    C0G
    200V
    -55°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    GRM
    0.079Lx0.049W 2.00mmx1.25mm
    ±5%
    e3
    yes
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    C0G NP0
    Tin (Sn)
    通用型
    100pF
    1.25mm
    C0G
    有
    1.45mm
    0.051 1.30mm
    1.2954mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Samsung Semiconductor
    CL21C101JDCNNND
    Samsung Semiconductor
    -
    表面贴装
    0805
    WRAPAROUND
    -
    C0G
    200V
    -
    卷带
    -
    -
    5%
    e3
    yes
    -
    -
    2
    EAR99
    30ppm/Cel ppm/°C
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    100pF
    1.25mm
    C0G
    有
    850μm
    -
    939.8μm
    符合RoHS标准
    125°C
    -55°C
    8532.24.00.20
    陶瓷电容器
    2mm
    1.2446mm
    无
  • 添加型号
电容相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
CC0805JRNPOYBN101 CC0805JRNPOYBN101 Yageo 陶瓷电容器 0805 (2012 Metric) Cap Ceramic 100pF 250V C0G 5% SMD 0805 125C Paper T/R 对比
CC0805JRNPOABN101 CC0805JRNPOABN101 Yageo 陶瓷电容器 0805 (2012 Metric) CAP CER 100PF 200V C0G/NPO 0805 对比
CL21C101JDCNNND CL21C101JDCNNND Samsung Semiconductor 陶瓷电容器 0805 对比