GT28F160C3TA110备选型号: M28W160ECB70ZB6E
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- Reach合规守则
- 频率
- 引脚数量
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 编程电压
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 宽度
- 座位高度(最大)
- 长度
- RoHS状态
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 电压
- 电源电流
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 辐射硬化
- IC FLASH 16M PARALLEL 48UBGA CSPYES48-VFBGA表面贴装46Non-Volatile2003Tray-40°C~85°C TAe0Obsolete不适用46EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; TOP BOOT BLOCK8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM13V0.75mmunknown110GHz46不合格3.6V1.8/3.33/3.3V2.7V16Mb 1M x 16ASYNCHRONOUSFLASHParallel1MX1616110ns0.000005A16777216 bit110 ns3VNONOYES8314K32KTOPYES6.964mm1mm7.286mmNon-RoHS Compliant-----------
- IC FLASH 16M PARALLEL 46TFBGAYES46-TFBGA表面贴装46Non-Volatile-Tray-40°C~85°C TAe1Obsolete3 (168 Hours)46EAR99锡银铜底部启动区块8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM13V0.75mm--46--3/3.3V-16Mb 1M x 16-FLASHParallel1MX161670ns0.000005A-70 ns-NONOYES8314K32KBOTTOMYES-1.2mm6.39mmROHS3 Compliantyes26030M28W1602.7V18mA20b16 MbAsynchronous16b无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M28W160ECB70ZB6E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 46-TFBGA | IC FLASH 16M PARALLEL 46TFBGA | 对比 |
![]() | SST39VF3201-70-4C-EKE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | MICROCHIP - SST39VF3201-70-4C-EKE - IC, 32M FLASH MEMORY, 2KWORD SECTOR | 对比 |
![]() | SST39VF1681-70-4I-EKE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | MEMORY, FLASH, 16MBIT, B/B, 48TSOP | 对比 |





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