我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
GWM100-0085X1-SMD备选型号: FDMD82100L
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- Reach合规守则
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS17-SMD, Gull Wing表面贴装表面贴装SILICON62011Tube-55°C~175°C TJyes活跃1 (Unlimited)17EAR99DUAL未说明未说明GWM10017R-PDSO-G17不合格BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATED6 N-Channel (3-Phase Bridge)SWITCHING6.2m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA114nC @ 10V85V103A0.0062Ohm85VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant--------------------
MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP12-PowerWDFN表面贴装表面贴装SILICON2-Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJyes活跃1 (Unlimited)12EAR99-260未说明-----增强型MOSFET排水源头2 N-Channel (Dual)SWITCHING19.5m Ω @ 7A, 10V3V @ 250μA24nC @ 10V100V7A0.0195Ohm-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)12 Weeks1282.3188mgPowerTrench®e3Tin (Sn)1W无铅not_compliant2Dual7.9 ns1585pF @ 50V2.8ns2.9 ns20V7A100V15 pF- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMD82100L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 12-PowerWDFN | MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP | 对比 |
 | FDMA86151L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-WDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-MLP | 对比 |
哦! 它是空的。