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GWM180-004X2-SLSAM备选型号: SSM3K59CTB,L3F

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包装
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
最高工作温度
最小工作温度
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
连续放电电流(ID)
场效应管特性
最大rds
RoHS状态
工厂交货时间
引脚数
系列
已出版
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
Vgs（最大值）

GWM180-004X2-SLSAM

IXYS

MOSFET Trench Gate MOSFET Modules

表面贴装
表面贴装
17-SMD, Flat Leads
ISOPLUS-DIL™
180A
-55°C~175°C TJ
Tube
活跃
1 (Unlimited)
175°C
-55°C
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
2.5mOhm @ 100A, 10V
4.5V @ 1mA
110nC @ 10V
40V
180A
Standard
2.5 mΩ
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
-
-
SSM3K59CTB,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 40V 2A CST3B

表面贴装
表面贴装
3-SMD, No Lead
-
2A Ta
150°C TJ
Tape & Reel (TR)
活跃
1 (Unlimited)
-
-
N-Channel
215m Ω @ 1A, 8V
1.2V @ 1mA
1.1nC @ 4.2V
40V
2A
-
-
符合RoHS标准
12 Weeks
3
U-MOSVII-H
2015
130pF @ 10V
±12V
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