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首页 全部分类 H11A817AS vs TLP185(GB,E)

H11A817AS备选型号: TLP185(GB,E)

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 电压-隔离度
  • 输出电压
  • 输出类型
  • 功率耗散
  • 电压 - 正向 (Vf) (类型)
  • 输入类型
  • 正向电流
  • 每个通道的输出电流
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 反向击穿电压
  • 电流传输比（最大）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 制造商包装标识符
  • 已出版
  • 通道数量
  • 最大输出电压
  • 最大输入电流
  • 接通 / 关断时间（典型值）
  • Vce 饱和度（最大值）
  • 高度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    H11A817AS
    ON Semiconductor
    Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP SMD Black
    表面贴装
    表面贴装
    4-SMD, Gull Wing
    4
    200mV
    80% @ 5mA
    -55°C~100°C
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    200mW
    5300Vrms
    70V
    Transistor
    200mW
    1.2V
    DC
    50mA
    50mA
    18μs
    18 μs
    70V
    50mA
    2.4μs 2.4μs
    6V
    160% @ 5mA
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TLP185(GB,E)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD
    表面贴装
    表面贴装
    6-SOIC (0.173, 4.40mm Width), 4 Leads
    4
    300mV
    80V
    -55°C~110°C
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    200mW
    3750Vrms
    -
    Transistor
    200mW
    1.25V
    DC
    20mA
    50mA
    -
    -
    80V
    10mA
    5μs 9μs
    5V
    400% @ 5mA
    符合RoHS标准
    -
    12 Weeks
    11-4M1S
    2012
    1
    80V
    20mA
    9μs, 9μs
    300mV
    2.3mm
    无
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