Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB,E)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SOIC (0.173, 4.40mm Width), 4 Leads

引脚数

4

制造商包装标识符

11-4M1S

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 5mA

Power Dissipation (Max)

200mW

操作温度

-55°C~110°C

包装

Tube

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压-隔离度

3750Vrms

输出类型

Transistor

通道数量

1

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.25V

输入类型

DC

正向电流

20mA

最大输出电压

80V

每个通道的输出电流

50mA

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10mA

上升/下降时间(Typ)

5μs 9μs

反向击穿电压

5V

最大输入电流

20mA

电流传输比（最大）

400% @ 5mA

接通 / 关断时间（典型值）

9μs, 9μs

Vce 饱和度（最大值）

300mV

高度

2.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准