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首页 全部分类 HAT2166H-EL-E vs IRFH8316TRPBF

HAT2166H-EL-E备选型号: IRFH8316TRPBF

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • Renesas Electronics America
    HAT2166H-EL-E
    Renesas Electronics America
    MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    SILICON
    45A Ta
    2.5V @ 1mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    260
    20
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    25W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 22.5A, 10V
    4400pF @ 10V
    27nC @ 4.5V
    35ns
    30V
    ±20V
    7.5 ns
    45A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8316TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    3.6W Ta 59W Tc
    2.2V @ 50μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    3.6W
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    2.95m Ω @ 20A, 10V
    3610pF @ 10V
    59nC @ 10V
    67ns
    -
    ±20V
    24 ns
    27A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    1
    Single
    50A
    30V
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