Infineon Technologies BSZ035N03LSGATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 69W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta 40A Tc

系列

OptiMOS™

已出版

2011

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4400pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40A

漏极-源极导通最大电阻

0.0057Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant