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首页 全部分类 HEF4517BP,652 vs CD74HCT165E

HEF4517BP,652备选型号: CD74HCT165E

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  • JESD-30代码
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  • 电源
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  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 附加功能
  • 端子间距
  • 频率
  • 工作电源电压
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 逻辑功能
  • 方向
  • 最大 I(ol)
  • Prop. Delay@Nom-Sup
  • 施密特触发器
  • 输入行数
  • 输入电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    HEF4517BP,652
    NXP USA Inc.
    IC REGISTER STATIC 64BIT 16DIP
    通孔
    16-DIP (0.300, 7.62mm)
    NO
    2
    -40°C~125°C
    Tube
    4000B
    2014
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    16
    镍钯金
    4.5V~15.5V
    DUAL
    260
    5V
    30
    4517
    R-PDIP-T16
    串行转并行
    不合格
    Tri-State
    15V
    5/15V
    3V
    50pF
    4000/14000/40000
    3-STATE
    移位寄存器
    TRUE
    64
    积极优势
    440 ns
    RIGHT
    4.7mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    CD74HCT165E
    Texas Instruments
    74HCT CMOS, 74HCT165, DIP16, 5.5V
    通孔
    16-DIP (0.300, 7.62mm)
    -
    1
    -55°C~125°C
    Tube
    74HCT
    -
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    4.5V~5.5V
    DUAL
    -
    5V
    -
    74HCT165
    -
    并行或串行转串行
    -
    Complementary
    -
    5V
    -
    50pF
    HCT
    -
    移位寄存器
    -
    8
    积极优势
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    通孔
    16
    951.693491mg
    也可进行SISO操作
    2.54mm
    18MHz
    5V
    60 ns
    60 ns
    移位寄存器
    单向
    0.004 A
    50 ns
    无
    9
    1μA
    5.08mm
    19.3mm
    6.35mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    无铅
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