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首页 全部分类 HGTG30N60A4 vs FGH40N60SMDF

HGTG30N60A4备选型号: FGH40N60SMDF

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  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 上升时间-最大值
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • IGBT类型
  • ON Semiconductor
    HGTG30N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 75A 463W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    463W
    75A
    HGTG30N60
    Single
    463W
    COLLECTOR
    Standard
    25 ns
    电源控制
    12ns
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    35 ns
    2.6V @ 15V, 30A
    75A
    238 ns
    225nC
    240A
    25ns/150ns
    280μJ (on), 240μJ (off)
    20V
    7V
    70ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40N60SMDF
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
    -
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    8541.29.00.95
    -
    349W
    -
    FGH40N60
    Single
    349W
    COLLECTOR
    Standard
    12 ns
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    37 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    -
    132 ns
    119nC
    120A
    12ns/92ns
    1.3mJ (on), 260μJ (off)
    20V
    6V
    17ns
    20.6mm
    15.6mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    28ns
    90ns
    TO-247AB
    场站
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