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首页 全部分类 HGTG30N60A4 vs FGH50N6S2

HGTG30N60A4备选型号: FGH50N6S2

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • ON Semiconductor
    HGTG30N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 75A 463W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    463W
    75A
    HGTG30N60
    Single
    463W
    COLLECTOR
    Standard
    25 ns
    电源控制
    12ns
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    35 ns
    2.6V @ 15V, 30A
    75A
    238 ns
    225nC
    240A
    25ns/150ns
    280μJ (on), 240μJ (off)
    20V
    7V
    70ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH50N6S2
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 75A 463W TO247
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    8541.29.00.95
    600V
    463W
    75A
    -
    Single
    463W
    -
    Standard
    13 ns
    电源控制
    15ns
    N-CHANNEL
    2.7V
    75A
    28 ns
    2.7V @ 15V, 30A
    -
    180 ns
    70nC
    240A
    13ns/55ns
    260μJ (on), 250μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    通孔
    未说明
    未说明
    不合格
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