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首页 全部分类 HGTP3N60A4D vs FGPF10N60UNDF

HGTP3N60A4D备选型号: FGPF10N60UNDF

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  • 开关能量
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  • 生命周期状态
  • 已出版
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    HGTP3N60A4D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 17A 70W TO220AB
    36 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    70W
    17A
    Single
    70W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    600V
    17A
    19 ns
    TO-220AB
    17.5 ns
    2.7V @ 15V, 3A
    180 ns
    21nC
    40A
    6ns/73ns
    37μJ (on), 25μJ (off)
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGPF10N60UNDF
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    8541.29.00.95
    -
    42W
    -
    Single
    -
    ISOLATED
    Standard
    MOTOR CONTROL
    -
    N-CHANNEL
    600V
    20A
    37.7 ns
    TO-220AB
    15.4 ns
    2.45V @ 15V, 10A
    89.3 ns
    37nC
    30A
    8ns/52.2ns
    150μJ (on), 50μJ (off)
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2013
    42W
    NPT
    20V
    8.5V
    24.8ns
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
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