您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 HGTP5N120BND vs IRG4BC30WPBF

HGTP5N120BND备选型号: IRG4BC30WPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端
  • 端子位置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    HGTP5N120BND
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    1.2kV
    2.45V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    1.2kV
    167W
    21A
    Single
    167W
    COLLECTOR
    Standard
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    1.2kV
    21A
    65ns
    TO-220AB
    1200V
    35 ns
    2.7V @ 15V, 5A
    21A
    357 ns
    NPT
    53nC
    40A
    22ns/160ns
    450μJ (on), 390μJ (off)
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 23A 100W TO220AB
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    SILICON
    600V
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    低导通损耗
    -
    600V
    100W
    23A
    Dual
    100W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    23A
    -
    TO-220AB
    -
    41 ns
    2.7V @ 15V, 12A
    -
    300 ns
    -
    51nC
    92A
    25ns/99ns
    130μJ (on), 130μJ (off)
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    2003
    通孔
    SINGLE
    25 ns
    17ns
    20V
    6V
    100ns
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HGTP10N120BN HGTP10N120BN ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-220-3 Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail 对比
HGTP12N60A4D HGTP12N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-220-3 IGBT 600V 54A 167W TO220AB 对比
IRG4BC30WPBF IRG4BC30WPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-220-3 IGBT 600V 23A 100W TO220AB 对比