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首页 全部分类 HMC349AMS8GE vs HMC284AMS8GE

HMC349AMS8GE备选型号: HMC284AMS8GE

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  • 阻抗
  • 频率范围
  • 射频/微波器件类型
  • 插入损耗
  • 隔离
  • 插入损耗(dB)
  • 射频类型
  • 输入功率-最大(CW)
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  • IIP3
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 制造商包装标识符
  • 终止次数
  • 功能数量
  • 最大电源电压
  • 拓扑
  • 待机时间
  • 1dB压缩点
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Analog Devices Inc.
    HMC349AMS8GE
    Analog Devices Inc.
    IC GAAS MESFET SW SPDT 8MSOP
    PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) Exposed Pad
    8
    139.989945mg
    -40°C~85°C
    Strip
    e3
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    cmos 兼容
    969mW
    5V
    COMPONENT
    4GHz
    HMC349
    8
    单刀双掷
    3GHz
    1.2mA
    50Ohm
    DC~4GHz
    分集开关
    1.2dB
    50dB
    1.8 dB
    通用型
    33.5dBm
    34dBm
    53dBm (min)
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Analog Devices Inc.
    HMC284AMS8GE
    Analog Devices Inc.
    ANALOG DEVICES - HMC284AMS8GE - RF SWITCH, SPDT, 3.5GHZ, HMSOP-8
    PRODUCTION (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) Exposed Pad
    8
    139.989945mg
    -40°C~85°C
    Strip
    e3
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    cmos 兼容
    -
    -
    COMPONENT
    3.5GHz
    HMC284
    8
    单刀双掷
    -
    -
    50Ohm
    DC~3.5GHz
    -
    0.7dB
    40dB
    0.7 dB
    Cellular, ISM, PCS
    25.91dBm
    29dBm
    50dBm (min)
    ROHS3 Compliant
    含铅
    MS8G (E)
    8
    1
    5V
    Absorptive
    0.005 μs
    29 dBm
    970μm
    3.1mm
    3.1mm
    Unknown
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
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