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HMC3653LP3BE备选型号: MMG20271HT1

HMC3653LP3BE

Analog Devices Inc.

IC RF AMP GP 7GHZ-15GHZ 12QFN

PRODUCTION (Last Updated: 1 week ago)
8 Weeks
Tin
表面贴装
表面贴装
12-VFQFN Exposed Pad
12
Strip
e3
no
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
85°C
-40°C
低噪音
512mW
1
COMPONENT
7GHz~15GHz
HMC365
12
5V
1
40mA
15dB
宽带低功率
通用型
50Ohm
4dB
15dBm
无SVHC
ROHS3 Compliant
含铅
-
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-
-
-
MMG20271HT1

NXP USA Inc.

RF Amplifier 27dBm GaAs Amp QFN3X3-12

-
10 Weeks
-
-
表面贴装
12-VFQFN Exposed Pad
-
Tape & Reel (TR)
e3
-
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
-
-
-
-
1
-
1.5GHz~2.7GHz
-
-
-
-
-
16dB
宽带中功率
LTE, TDS-CDMA, W-CDMA
-
1.7dB
27.5dBm
-
ROHS3 Compliant
-
YES
2004
12
Matte Tin (Sn)
8542.33.00.01
5V
5V
2.14GHz
180mA
添加型号

RF/IF，射频/中频和 RFID相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	HMC3587LP3BE	Analog Devices Inc.	射频放大器	12-VFQFN Exposed Pad	IC RF AMP GP 4GHZ-10GHZ 12SMT	对比
	MAX2373ETC	Maxim Integrated	射频放大器	12-WFQFN Exposed Pad	LNAs with Step Attenuator and VGA 12-Pin TQFN EP	对比
	MMG20271HT1	NXP USA Inc.	射频放大器	12-VFQFN Exposed Pad	RF Amplifier 27dBm GaAs Amp QFN3X3-12	对比