HMC397备选型号: HMC788ALP2E
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- 包装
- JESD-609代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 结构
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 通道数量
- 测试频率
- 工作电源电流
- 增益
- 射频/微波器件类型
- 射频类型
- 噪声图
- P1dB
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- HTS代码
- 最大电源电流
- 输入功率-最大(CW)
- 特性阻抗
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- RF Amplifier InGaP HBT Gain Block Chip, DC - 10 GHzPRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)12 Weeks表面贴装Die0Traye4no活跃1 (Unlimited)EAR99Gold (Au)85°C-55°C339mWCOMPONENT0Hz~10GHzHMC39705V110GHz56mA15dB宽带低功率VSAT6dB15dBm无SVHCROHS3 Compliant含铅--------
- IC RF AMP LTE 0HZ-10GHZ 6LFCSPPRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)20 Weeks表面贴装6-VDFN Exposed Pad6Stripe3no活跃3 (168 Hours)EAR99-85°C-40°C760mWCOMPONENT0Hz~10GHzHMC78865V-6GHz~10GHz76mA12dB宽带低功率LTE, WiMax7dB18dBm-ROHS3 Compliant含铅Tin表面贴装8542.31.00.0190mA15dBm50Ohm175°C900μm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HMC788ALP2ETR | Analog Devices Inc. | 射频放大器 | 6-VDFN Exposed Pad | IC RF AMP LTE 0HZ-10GHZ 6LFCSP | 对比 |
![]() | HMC788ALP2E | Analog Devices Inc. | 射频放大器 | 6-VDFN Exposed Pad | IC RF AMP LTE 0HZ-10GHZ 6LFCSP | 对比 |
![]() | MMG3011NT1 | NXP USA Inc. | 射频放大器 | TO-243AA | RF TRANSISTOR, SOT-89 - More Details | 对比 |





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