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首页 全部分类 HMC435AMS8GETR vs SY100EP11UKG

HMC435AMS8GETR备选型号: SY100EP11UKG

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  • 最大电源电流
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  • 输入行数
  • 输出行数
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Analog Devices Inc.
    HMC435AMS8GETR
    Analog Devices Inc.
    IC SWITCH SPDT 8MSOP
    PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) Exposed Pad
    8
    139.989945mg
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    高隔离度
    420mW
    COMPONENT
    4GHz
    HMC435
    8
    5V
    单刀双掷
    2.5GHz
    50Ohm
    DC~4GHz
    分集开关
    0.8dB
    48dB
    1.2 dB
    通用型
    31dBm
    30dBm
    53dBm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • Microchip Technology
    SY100EP11UKG
    Microchip Technology
    IC CLK BUFFER 1:2 3GHZ 8MSOP
    -
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    -
    0°C~85°C
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    3GHz
    SY100EP11
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    8-MSOP
    3GHz
    100EP, ECL Pro®
    2000
    Fanout Buffer (Distribution)
    85°C
    -40°C
    2.375V~5.5V
    LVECL, LVPECL
    2
    Non-Inverting
    1
    1
    5.5V
    2.37V
    30mA
    44mA
    360 ps
    360 ps
    2.54V
    LVECL, LVPECL
    1:2
    Yes/Yes
    1
    2
    1.016mm
    3mm
    3mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
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