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首页 全部分类 HMC536LP2ETR vs HMC658LP2E

HMC536LP2ETR备选型号: HMC658LP2E

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  • 最大功率耗散
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  • 引脚数量
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  • 电源
  • 阻抗
  • 频率范围
  • 射频/微波器件类型
  • 插入损耗
  • 隔离
  • 插入损耗(dB)
  • 射频类型
  • P1dB
  • IIP3
  • 待机时间
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 结构
  • 输入功率-最大(CW)
  • 衰减值
  • Analog Devices Inc.
    HMC536LP2ETR
    Analog Devices Inc.
    IC SWITCH MMIC AMP SPDT 3W 6-DFN
    PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TDFN Exposed Pad
    6
    21.092045mg
    -40°C~85°C
    Cut Tape (CT)
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    860mW
    5V
    1
    6GHz
    HMC536
    6
    单刀双掷
    5V
    50Ohm
    0Hz~6GHz
    分集开关
    1dB
    29dB
    0.6 dB
    Cellular
    33dBm
    52dBm
    0.07 μs
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Analog Devices Inc.
    HMC658LP2E
    Analog Devices Inc.
    RF ATTENUATOR 20DB 50OHM 6TDFN
    PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TDFN Exposed Pad
    6
    -
    -
    Strip
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    -
    25GHz
    HMC658
    6
    -
    -
    50Ohm
    0Hz~25GHz
    固定衰减器
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    e3
    EAR99
    85°C
    -40°C
    8542.39.00.01
    COMPONENT
    25dBm
    20dB
  • 添加型号
RF/IF，射频/中频和 RFID相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HMC656LP2E HMC656LP2E Analog Devices Inc. 衰减器 6-TDFN Exposed Pad RF ATTENUATOR 10DB 50OHM 6TDFN 对比
HMC658LP2E HMC658LP2E Analog Devices Inc. 衰减器 6-TDFN Exposed Pad RF ATTENUATOR 20DB 50OHM 6TDFN 对比