HRF3205备选型号: IRF3205PBF
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 螺纹距离
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB通孔通孔TO-220-33TO-220-3100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2002Obsolete1 (Unlimited)通孔175°C-55°C55V100ASingle175WN-Channel8mOhm @ 59A, 10V4V @ 250μA4000pF @ 25V170nC @ 10V100ns55V±20V70 ns100A20V55V55V4nF8mOhm8 mΩ4 V无SVHC符合RoHS标准无铅-----------------------
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB通孔通孔TO-220-33-110A Tc-55°C~175°C TJTube2001活跃1 (Unlimited)通孔--55V110ASingle150WN-Channel8m Ω @ 62A, 10V4V @ 250μA3247pF @ 25V146nC @ 10V101ns-±20V65 ns110A20V55V55V---4 V无SVHCROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksSILICONHEXFET®3EAR998mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE2.54mm1增强型MOSFETDRAIN14 nsSWITCHING4VTO-220AB75A264 mJ104 ns175°C19.8mm10.54mm4.69mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF75345P3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail | 对比 | |
![]() | IRL2505PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB | 对比 |
![]() | IRF3205PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB | 对比 |



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