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首页 全部分类 HS2369A vs SST3906T116

HS2369A备选型号: SST3906T116

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    HS2369A
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor
    23 Weeks
    表面贴装
    3
    SILICON
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    EAR99
    锡铅
    8541.21.00.95
    360mW
    NPN
    15V
    200mA
    40
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    SST3906T116
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 40V 0.2A SST3
    13 Weeks
    表面贴装
    3
    SILICON
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e1
    yes
    活跃
    EAR99
    -
    8541.21.00.75
    350mW
    PNP
    400mV
    200mA
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    40V
    -400mV
    150°C TJ
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    T3906
    3
    Single
    350mW
    SWITCHING
    250MHz
    PNP
    100 @ 10mA 1V
    50nA
    400mV @ 5mA, 50mA
    250MHz
    40V
    -40V
    -5V
    -200mA
    70ns
    4pF
    无铅
  • 添加型号
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMMT5401-7-F DMMT5401-7-F Diodes Incorporated 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 SOT-23-6 TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26 对比
SST3904T116 SST3904T116 ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS NPN 40V 0.2A SST3 对比
SST3906T116 SST3906T116 ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS PNP 40V 0.2A SST3 对比