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首页 全部分类 HSM880J/TR13 vs SBR10U200P5-13

HSM880J/TR13备选型号: SBR10U200P5-13

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  • 正向电流
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  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 质量
  • 二极管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 应用
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 相位的数量
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    HSM880J/TR13
    Microsemi Corporation
    Diode Schottky 80V 8A 2-Pin DO-214AB T/R
    24 Weeks
    DO-214AB, SMC
    表面贴装
    表面贴装
    2
    -55°C
    175°C
    1997
    Tape & Reel (TR)
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    HSM880
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    500μA @ 80V
    780mV @ 8A
    8A
    -55°C~175°C
    780mV
    80V
    8A
    500μA
    80V
    300A
    Non-RoHS Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    SBR10U200P5-13
    Diodes Incorporated
    DIODE SBR 200V 10A POWERDI5
    16 Weeks
    PowerDI™ 5
    表面贴装
    表面贴装
    5
    -65°C
    175°C
    2010
    Tape & Reel (TR)
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    SBR10U200
    共阳极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    超屏蔽
    100μA @ 200V
    880mV @ 10A
    10A
    -65°C~175°C
    880mV
    200V
    10A
    100μA
    200V
    180A
    ROHS3 Compliant
    无
    95.991485mg
    SILICON
    1
    SBR®
    3
    EAR99
    快速软恢复
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    R-PDSO-F3
    CATHODE
    1
    200V
    180A
    175°C
    1.15mm
    4.05mm
    5.45mm
    无SVHC
    无铅
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