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首页 全部分类 HT0440LG-G vs IRS2609DSPBF

HT0440LG-G备选型号: IRS2609DSPBF

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
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  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 电阻
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  • 电源电压
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  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 驱动器数量
  • 输出峰值电流限制-名
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 关断时间
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microchip Technology
    HT0440LG-G
    Microchip Technology
    Driver 2-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    540.001716mg
    High-Side
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    3.15V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    2MHz
    40
    HT0440
    2
    不合格
    10V
    2mA
    2mA
    2mA
    Non-Inverting
    50 μs
    650μs
    3 ms
    COMPLEMENTARY
    STANDARD
    650μs 3ms Max
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Synchronous
    N-Channel MOSFET
    YES
    400V
    4.9mm
    1.75mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2609DSPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    -
    30
    IRS2609DSPBF
    1
    -
    620V
    -
    2mA
    -
    Non-Inverting
    60 ns
    220ns
    80 ns
    -
    -
    150ns 50ns
    -
    Synchronous
    IGBT, N-Channel MOSFET
    YES
    600V
    5mm
    -
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    200Ohm
    625mW
    15V
    350mA
    625mW
    200mA
    1.1 μs
    2
    0.2A
    200mA 350mA
    0.4 μs
    1.5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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