HUF75307T3ST备选型号: HUFA75307T3ST
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA188mg2.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002Obsolete1 (Unlimited)55V2.6A1.1WN-Channel90m Ω @ 2.6A, 10V4V @ 250μA250pF @ 25V17nC @ 20V30ns±20V30 ns2.6A20V55V符合RoHS标准无铅---------------------
- MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA188mg2.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002活跃1 (Unlimited)55V2.6A1.1WN-Channel90m Ω @ 2.6A, 10V4V @ 250μA250pF @ 25V17nC @ 20V30ns±20V30 ns2.6A20V55VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)Tin4SILICONAutomotive, AEC-Q101, UltraFET™e3yes4EAR99DUAL鸥翼Single增强型MOSFETDRAIN5 nsSWITCHING0.09Ohm1.8mm6.7mm3.7mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | 对比 |
| HUFA75307T3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 | 对比 |



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