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首页 全部分类 HUF75339P3 vs IRF1010EPBF

HUF75339P3备选型号: IRF1010EPBF

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 附加功能
  • 螺纹距离
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HUF75339P3
    ON Semiconductor
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220; UltraFET®
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12mOhm
    55V
    未说明
    75A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    2000pF @ 25V
    130nC @ 20V
    60ns
    ±20V
    25 ns
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    55V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1010EPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    84A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12mOhm
    60V
    -
    84A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    3210pF @ 25V
    130nC @ 10V
    78ns
    ±20V
    53 ns
    84A
    4V
    TO-220AB
    20V
    60V
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    2.54mm
    75A
    60V
    4 V
    无
  • 添加型号
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