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首页 全部分类 HUF75339P3 vs IRF1018EPBF

HUF75339P3备选型号: IRF1018EPBF

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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HUF75339P3
    ON Semiconductor
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220; UltraFET®
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12mOhm
    55V
    未说明
    75A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    2000pF @ 25V
    130nC @ 20V
    60ns
    ±20V
    25 ns
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    55V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1018EPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    79A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2002
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8.4MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.4m Ω @ 47A, 10V
    4V @ 100μA
    2290pF @ 50V
    69nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    46 ns
    79A
    4V
    TO-220AB
    20V
    60V
    9.017mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    88 mJ
    39 ns
    无
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