HUF75542P3备选型号: IRF2807PBF
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 螺纹距离
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- MOSFET 75a 80V N-Ch UltraFET 0.014 OhmACTIVE (Last Updated: 3 days ago)9 Weeks通孔通孔TO-220-331.8gSILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)80V75ASingle增强型MOSFET230WDRAIN12.5 nsN-ChannelSWITCHING14m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA2750pF @ 25V180nC @ 20V117ns±20V80 ns75A4VTO-220AB20V80V6.35mm31.75mm6.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S-12 WeeksSurface Mount, Through Hole通孔TO-220-33-SILICON82A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2001e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99-75V82ASingle增强型MOSFET230WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING13m Ω @ 43A, 10V4V @ 250μA3820pF @ 25V160nC @ 10V64ns±20V48 ns82A4VTO-220AB20V75V8.77mm10.54mm4.69mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeTin通孔13mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE250302.54mm75A280A75V150 ns4 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFB4610PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB | 对比 |
![]() | IRF2807PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S | 对比 |
| HUF75545P3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail | 对比 |



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