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首页 全部分类 HUF75645P3 vs FDP3632

HUF75645P3备选型号: FDP3632

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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • ON Semiconductor
    HUF75645P3
    ON Semiconductor
    Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 75 Amp 3-Pin 3 Tab TO-220AB Rail
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    4.535924g
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    14mOhm
    Tin (Sn)
    100V
    75A
    100V
    Single
    75A
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    3790pF @ 25V
    238nC @ 20V
    117ns
    ±20V
    97 ns
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FDP3632
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    12A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2004
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    9MOhm
    -
    100V
    44A
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    6000pF @ 25V
    110nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    46 ns
    80A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
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