HUF76429S3ST备选型号: STB60NF06T4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 终端
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-ChACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON47A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™yes活跃1 (Unlimited)2EAR9922MOhm60V鸥翼44AR-PSSO-G260VSingle47A增强型MOSFET110WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 47A, 10V3V @ 250μA1480pF @ 25V46nC @ 10V203ns±16V74 ns47A16V60V无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-Ch 60 Volt 60 AmpACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON60A Tc-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ II-活跃1 (Unlimited)2EAR9916mOhm60V鸥翼60AR-PSSO-G2-Single-增强型MOSFET110W-16 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 30A, 10V4V @ 250μA1810pF @ 25V66nC @ 10V108ns±20V20 ns60A20V60V无ROHS3 Compliant无铅Tine3SMD/SMT24530STB60N33V240A60V3 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB55NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 对比 |
![]() | STB60NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp | 对比 |




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