HUF76609D3S备选型号: IRLR120NTRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 终端
- 附加功能
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 100V 10A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON10A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99160mOhmTin (Sn)100V鸥翼未说明10A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET49WDRAINN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 10A, 10V3V @ 250μA425pF @ 25V16nC @ 10V41ns±16V28 ns10ATO-252AA16V100V符合RoHS标准无铅------------------
- MOSFET N-CH 100V 10A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON10A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99185mOhm-100V鸥翼26011A30R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET48WDRAINN-ChannelSWITCHING185m Ω @ 6A, 10V2V @ 250μA440pF @ 25V20nC @ 5V35ns±16V22 ns10ATO-252AA16V100VROHS3 Compliant无铅12 WeeksTin3SMD/SMT雪崩 额定14 ns2V100V85 mJ160 ns175°C2 V2.52mm6.7056mm6.22mm无SVHC无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR120NTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 对比 |
![]() | HUFA76609D3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 对比 |
![]() | HUFA76609D3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 对比 |



哦! 它是空的。