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HUF76609D3ST备选型号: HUFA76609D3ST
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 10A, 165mOACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON10A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99160mOhm100V鸥翼未说明not_compliant10A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET49WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 10A, 10V3V @ 250μA425pF @ 25V16nC @ 10V41ns±16V28 ns10ATO-252AA16V100VROHS3 Compliant无铅-- MOSFET N-CH 100V 10A DPAK---表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63---10A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™--Obsolete1 (Unlimited)---100V---10A---Single-49W--N-Channel-160m Ω @ 10A, 10V3V @ 250μA425pF @ 25V16nC @ 10V18ns±16V39 ns10A-16V100V符合RoHS标准无铅2002
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLR120NTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 对比 |
| HUFA76609D3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 对比 |
| HUFA76609D3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 对比 |
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