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HUF76639S3ST备选型号: IPB47N10SL26ATMA1
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-ChACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON51A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2002e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)100V鸥翼50AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET180WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 51A, 10V3V @ 250μA2400pF @ 25V86nC @ 10V55ns±16V110 ns51A16V0.027Ohm100V无ROHS3 Compliant无铅---------
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263-10 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--SILICON47A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2001e3-最后一次购买1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFET175W-50 nsN-Channel-26m Ω @ 33A, 10V2V @ 2mA2500pF @ 25V135nC @ 10V100ns±20V70 ns47A20V0.04Ohm--ROHS3 Compliant含铅AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素100V400 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUFA75639S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm | 对比 |
| IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| HUFA76639S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | 对比 |
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