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首页 全部分类 HUF76645P3 vs IRFB4410PBF

HUF76645P3备选型号: IRFB4410PBF

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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 螺纹距离
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 反向恢复时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HUF76645P3
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    100V
    75A
    Single
    310W
    N-Channel
    14mOhm @ 75A, 10V
    3V @ 250μA
    4400pF @ 25V
    153nC @ 10V
    106ns
    100V
    ±16V
    175 ns
    75A
    16V
    100V
    4.4nF
    12mOhm
    14 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4410PBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 8 Milliohms; Id 88A; TO-220AB; Pd 200W; Vf 1.3V
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    88A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    100V
    96A
    Single
    250W
    N-Channel
    10m Ω @ 58A, 10V
    4V @ 150μA
    5150pF @ 50V
    180nC @ 10V
    80ns
    -
    ±20V
    50 ns
    88A
    20V
    100V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    10mOhm
    镍外哑光锡
    250
    30
    2.54mm
    增强型MOSFET
    24 ns
    SWITCHING
    38 ns
    4V
    TO-220AB
    75A
    100V
    220 mJ
    4 V
    9.017mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
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