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HUFA75645P3备选型号: IRF8010PBF
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- 电压 - 额定直流
- 额定电流
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- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB通孔通孔TO-220-33TO-220-375A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2001Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C100V75ASingle310W14 nsN-Channel14mOhm @ 75A, 10V4V @ 250μA3790pF @ 25V238nC @ 20V117ns100V±20V97 ns75A20V100V3.79nF14mOhm14 mΩ无符合RoHS标准无铅-------------------
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB通孔通孔TO-220-33-80A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2002活跃1 (Unlimited)--100V80ASingle260W15 nsN-Channel15m Ω @ 45A, 10V4V @ 250μA3830pF @ 25V120nC @ 10V130ns-±20V120 ns80A20V100V---无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksTinSILICON3EAR9915Ohm增强型MOSFETDRAINSWITCHING4VTO-220AB75A100V150 ns4 V8.763mm10.5156mm4.69mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB | 对比 |
| IRF2807PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S | 对比 |
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | 对比 |
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