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首页 全部分类 HUFA76409D3ST vs NTD18N06T4G

HUFA76409D3ST备选型号: NTD18N06T4G

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数量
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    HUFA76409D3ST
    ON Semiconductor
    Transistor, Mosfet, N-Channel, 60V V(Br)Dss, 18A I(D), To-252Aa Rohs Compliant: Yes
    LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
    2002
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    17A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    49W
    DRAIN
    5.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    63m Ω @ 18A, 10V
    3V @ 250μA
    485pF @ 25V
    15nC @ 10V
    34ns
    ±16V
    50 ns
    17A
    TO-252AA
    16V
    0.075Ohm
    60V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD18N06T4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    18A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    未说明
    -
    18A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    710pF @ 25V
    30nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    20 ns
    18A
    -
    20V
    0.06Ohm
    60V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    54A
    72 mJ
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