HUFA76419D3ST备选型号: RFD12N06RLESM9A
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 电阻
- 阈值电压
- 达到SVHC
- Transistor, Mosfet, N-Channel, 60V V(Br)Dss, 20A I(D), To-252Aa Rohs Compliant: YesACTIVE (Last Updated: 3 days ago)表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON20A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2002e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)60V鸥翼20AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET75WDRAIN6.5 nsN-ChannelSWITCHING37m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA900pF @ 25V27.5nC @ 10V35ns±16V50 ns20ATO-252AA16V60V2.39mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET 60V SingleACTIVE (Last Updated: 1 day ago)表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON18A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2002e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-60V鸥翼17AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET49WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING63m Ω @ 18A, 10V3V @ 250μA485pF @ 25V15nC @ 10V34ns±16V50 ns17mATO-252AA16V60V2.39mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅8 WeeksTin71MOhm3VUnknown
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD20NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | RFD12N06RLESM9A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 60V Single | 对比 |
![]() | NTD18N06T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | 对比 |





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