HUFA76429D3备选型号: IRLIZ34NPBF

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    343.08mg
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    27mOhm
    Tin (Sn)
    60V
    20A
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1480pF @ 25V
    46nC @ 10V
    36ns
    ±16V
    56 ns
    20A
    16V
    60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    46mOhm
    -
    55V
    20A
    Single
    增强型MOSFET
    31W
    ISOLATED
    8.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 12A, 10V
    2V @ 250μA
    880pF @ 25V
    25nC @ 5V
    10ns
    ±16V
    21 ns
    22A
    16V
    55V
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    2V
    TO-220AB
    55V
    2kV
    2 V
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
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