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HUFA76639S3S备选型号: HUF75639S3ST
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- Vgs（最大值）
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- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
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- 无铅代码
- 终止次数
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- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
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- 晶体管应用
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MOSFET N-CH 100V 50A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装D2PAK (TO-263AB)51A Tc2002UltraFET™Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)175°C-55°C100V50ASingle180WN-Channel26mOhm @ 51A, 10V3V @ 250μA2400pF @ 25V86nC @ 10V55ns100V±16V110 ns51A16V100V2.4nF23mOhm26 mΩ符合RoHS标准无铅------------------- MOSFET N-CH 100V 56A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装-56A Tc2002UltraFET™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)--100V56ASingle200WN-Channel25m Ω @ 56A, 10V4V @ 250μA2000pF @ 25V130nC @ 20V60ns-±20V25 ns56A20V100V---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks31.31247gSILICONe3yes2EAR9925mOhmTin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAIN15 nsSWITCHING无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF76639S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch | 对比 |
| HUF76639S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | 对比 |
 | IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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