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HUFA76639S3S备选型号: IPB47N10SL26ATMA1
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装D2PAK (TO-263AB)51A Tc2002UltraFET™Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)175°C-55°C100V50ASingle180WN-Channel26mOhm @ 51A, 10V3V @ 250μA2400pF @ 25V86nC @ 10V55ns100V±16V110 ns51A16V100V2.4nF23mOhm26 mΩ符合RoHS标准无铅--------------------
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装-47A Tc2001SIPMOS®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ最后一次购买1 (Unlimited)-----175WN-Channel26m Ω @ 33A, 10V2V @ 2mA2500pF @ 25V135nC @ 10V100ns-±20V70 ns47A20V----ROHS3 Compliant含铅10 WeeksSILICONe32EAR99Tin (Sn)AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET50 ns无卤素100V0.04Ohm400 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF76639S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch | 对比 |
| HUF76639S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | 对比 |
| IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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