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HUFA76645S3S备选型号: IPB70N10S3L12ATMA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 端子位置
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCE8541.29.00.95100V鸥翼未说明75A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET310WDRAINN-Channel14m Ω @ 75A, 10V3V @ 250μA4400pF @ 25V153nC @ 10V106ns±16V175 ns75A16V0.014Ohm100V符合RoHS标准无铅---------
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-263-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2012-活跃1 (Unlimited)2EAR99-逻辑电平兼容--鸥翼未说明-未说明R-PSSO-G2--增强型MOSFET-DRAINN-Channel11.8m Ω @ 70A, 10V2.4V @ 83μA5550pF @ 25V80nC @ 10V-±20V---0.012Ohm-ROHS3 Compliant-14 WeeksYESSINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE100V70A280A100V154 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF75645S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 对比 |
| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | 对比 |
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