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首页 全部分类 HV632PG-G vs TNETE2201BPJW

HV632PG-G备选型号: TNETE2201BPJW

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  • 端子位置
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 分段数
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 电源电流
  • 最大电源电流
  • 数据率
  • 议定书
  • 驱动器/接收器的数量
  • 双工
  • 收发器数量
  • 器件厚度
  • 无铅
  • Microchip Technology
    HV632PG-G
    Microchip Technology
    VFD DRVR 5.5V 64-Pin PQFP Tray
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    64-BQFP
    64
    1.925301g
    -40°C~85°C
    Tray
    2013
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    64
    EAR99
    Integrated Circuit (IC)
    哑光锡
    8542.39.00.01
    4.5V~5.5V
    QUAD
    鸥翼
    245
    1
    5V
    0.8mm
    40
    HV632
    1mA
    5.5V
    Serial
    100μA
    FED, PLCD, VFD
    32
    NO
    2.8mm
    20mm
    14mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    TNETE2201BPJW
    Texas Instruments
    IC TXRX ETHERNET 1.25GBPS 64PQFP
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    64-TQFP Exposed Pad
    64
    263.792313mg
    0°C~70°C
    Tray
    -
    e4
    活跃
    3 (168 Hours)
    64
    EAR99
    收发器
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    3.14V~3.47V
    QUAD
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    0.5mm
    -
    TNETE2201
    -
    3.3V
    -
    -
    -
    -
    -
    1.2mm
    10mm
    10mm
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    yes
    64
    1
    260mA
    260mA
    1.25Gbps
    千兆位以太网
    1/1
    一半
    1
    1mm
    无铅
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