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首页 全部分类 IDD03SG60CXTMA2 vs STPSC8H065B-TR

IDD03SG60CXTMA2备选型号: STPSC8H065B-TR

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  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
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  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 底架
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • Infineon Technologies
    IDD03SG60CXTMA2
    Infineon Technologies
    DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    CoolSiC™+
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    快速恢复
    PD-CASE
    8541.10.00.80
    38W
    鸥翼
    260
    R-PSSO-G2
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    15μA @ 600V
    2.3V @ 3A
    CATHODE
    3A
    15μA
    -55°C~175°C
    11.5A
    3A
    3A DC
    2.3V
    600V
    3A
    1
    0ns
    15μA
    600V
    60pF @ 1V 1MHz
    11.5A
    100A
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STPSC8H065B-TR
    STMicroelectronics
    Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK
    14 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    175°C
    -40°C
    POWER
    -
    -
    -
    鸥翼
    260
    R-PSSO-G2
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    80μA @ 650V
    1.75V @ 8A
    CATHODE
    8A
    80μA
    -40°C~175°C
    75A
    8A
    -
    1.75V
    650V
    8A
    1
    0ns
    80μA
    650V
    414pF @ 0V 1MHz
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    not_compliant
    30
    STPSC8H065
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STPSC8H065B-TR STPSC8H065B-TR STMicroelectronics 二极管 - 整流器 - 单 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK 对比