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首页 全部分类 IDH09SG60CXKSA2 vs STPSC806D

IDH09SG60CXKSA2备选型号: STPSC806D

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  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 底架
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 最大反向漏电电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IDH09SG60CXKSA2
    Infineon Technologies
    DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2
    18 Weeks
    通孔
    TO-220-2
    NO
    2
    1
    Tube
    CoolSiC™+
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    GENERAL PURPOSE
    8541.10.00.80
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    80μA @ 600V
    2.1V @ 9A
    CATHODE
    9A
    -55°C~175°C
    49A
    9A
    9A DC
    2.1V
    600V
    9A
    1
    0ns
    80μA
    600V
    280pF @ 1V 1MHz
    49A
    49A
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STPSC806D
    STMicroelectronics
    Schottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
    14 Weeks
    通孔
    TO-220-2
    -
    2
    1
    Tube
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -40°C
    POWER
    8541.10.00.80
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    100μA @ 600V
    1.7V @ 8A
    -
    8A
    -40°C~175°C
    30A
    8A
    -
    1.7V
    600V
    8A
    1
    0ns
    100nA
    600V
    450pF @ 0V 1MHz
    120A
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    通孔
    STPSC806
    3
    100μA
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无铅
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