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首页 全部分类 IDP30E60XKSA1 vs STTH1210DY

IDP30E60XKSA1备选型号: STTH1210DY

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 无卤素
  • 平均整流电流（Io）
  • 正向电压
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  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • JEDEC-95代码
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 系列
  • 应用
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 最大反向漏电电流
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IDP30E60XKSA1
    Infineon Technologies
    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    SILICON
    1
    Tube
    2009
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    8541.10.00.80
    3
    R-PSFM-T2
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    50μA @ 600V
    2V @ 30A
    CATHODE
    52.3A
    -55°C~175°C
    无卤素
    52.3A DC
    2V
    600V
    52.3A
    1
    126 ns
    50μA
    600V
    TO-220AC
    117A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STTH1210DY
    STMicroelectronics
    Diodes - General Purpose, Power, Switching Auto Ultrafast 12A 1000V 1.30VF
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    SILICON
    1
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -40°C
    -
    -
    R-PSFM-T2
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 1000V
    2V @ 12A
    -
    12A
    -40°C~175°C
    -
    -
    2V
    1kV
    12A
    1
    90 ns
    10μA
    100V
    TO-220AC
    80A
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    Automotive, AEC-Q101
    高压超快软恢复
    LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
    not_compliant
    STTH1210
    30μA
    1000V
    48 ns
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STTH1210DY STTH1210DY STMicroelectronics 二极管 - 整流器 - 单 TO-220-2 Diodes - General Purpose, Power, Switching Auto Ultrafast 12A 1000V 1.30VF 对比