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首页 全部分类 IDP30E65D2XKSA1 vs FFP08S60STU

IDP30E65D2XKSA1备选型号: FFP08S60STU

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  • 生命周期状态
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  • 系列
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  • 正向电压
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IDP30E65D2XKSA1
    Infineon Technologies
    Diode Switching 650V 60A 2-Pin TO-220 Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    SILICON
    1
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -40°C
    快速软恢复
    PD-CASE
    8541.10.00.80
    未说明
    未说明
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    40μA @ 650V
    2.2V @ 30A
    CATHODE
    60A
    -40°C~175°C
    无卤素
    60A DC
    650V
    60A
    1
    70 ns
    40μA
    650V
    180A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FFP08S60STU
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    SILICON
    1
    Tube
    1996
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    150°C
    -65°C
    超快软恢复
    FREE WHEEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.80
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    2.6V @ 8A
    ISOLATED
    8A
    -65°C~150°C
    -
    -
    600V
    8A
    1
    30 ns
    100μA
    600V
    80A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    2.16g
    Stealth™
    8A
    80A
    2.6V
    600V
    80A
    30 ns
    9.2mm
    9.9mm
    4.5mm
    无SVHC
    无
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